Transistor

C(in): 1100pF. Costo): 510pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 670pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 62.4A. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Equivalenti: FQD19N10LTM. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.074 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 800pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 30N06L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.031 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 220pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FQD7N10L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.258 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funzione: Tariffa di gate bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP12N60C. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 70 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 280 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 225W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1

C(in): 345pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 72 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. RoHS: sì. Peso: 2.07g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Funzione: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1800pF. Costo): 245pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 850pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

C(in): 600pF. Costo): 165pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 78 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.078 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 19A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 139W. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, td(on)15ns, td(off)135ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET)

C(in): 1150pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 127W. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 510pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Rds sulla resistenza attiva: 3.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1400pF. Costo): 425pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 98 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 146W. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2500pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 182A. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 210W. Rds sulla resistenza attiva: 0.033 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP50N06. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP50N06L. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1630pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 121W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1

C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: transistor ad effetto di campo di potenza in modalità potenziamento . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 27nC, Crss basso 10pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 175 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET® MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 45 nC, Crss basso 14 pF

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 9.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.36 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 20nC, Crss basso 40,5pF

C(in): 1570pF. Costo): 166pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 144 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 44nC, Crss basso 18pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1515pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 43 nC, Crss basso 20 pF. Protezione GS: NINCS