FQB27P06TM

FQB27P06TM. C(in): 1100pF. Costo): 510pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.