FQP13N50C

FQP13N50C. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.