FQP3P50

FQP3P50. C(in): 510pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Rds sulla resistenza attiva: 3.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.