FQPF10N60C

FQPF10N60C. C(in): 1570pF. Costo): 166pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 144 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 44nC, Crss basso 18pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.