FQP12N60C

FQP12N60C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP12N60C. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 70 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 280 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 225W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.