FQP19N20C

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FQP19N20C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 19A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 139W. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, td(on)15ns, td(off)135ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.

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