Transistor

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT558. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT849. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT949. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 5.5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Spec info: tensione di saturazione molto bassa

C(in): 1800pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): n/a. Marcatura sulla cassa: G60N04K. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1

C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor con controllo a livello logico. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Protezione GS: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Corrente del collettore: 3A. Nota: hFE 100...400. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: TO-92

C(in): 1450pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: P. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Numero di terminali: 3. Funzione: Transistor MOS IGBT a canale P. Spec info: amplificatore audio. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Funzione: Commutazione dell invertitore di risonanza di corrente . Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 30 ns. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P( GCE ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 4650pF. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.3 ns. Td(acceso): 0.09 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Corrente del collettore: 37A. Ic(impulso): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.51 ns. Td(acceso): 0.33 ns. Alloggiamento: TO-3P( N )IS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA hi-res (F). Corrente del collettore: 24A. Ic(impulso): 36A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 10V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 0.17...0.31us. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marcatura sulla cassa: 10N120BND. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 12N60A4. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 54A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 167W. Corrente massima del collettore (A): 96A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Data di produzione: 2014/17. Corrente del collettore: 54A. Ic(impulso): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Marcatura sulla cassa: 12N60A4D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 96 ns. Td(acceso): 17 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.6V. Numero di terminali: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Funzione: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente del collettore: 24A. Ic(impulso): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Marcatura sulla cassa: G12N60C3D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 270 ns. Td(acceso): 14 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 35 ns. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4D. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): UFS Series IGBT. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: HG20N60B3. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 220 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 165W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: G20N60B3D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 165W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Spec info: Tempo di caduta tipico 140ns a 150°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS Series IGBT. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: G30N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: 30N60A4D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 137 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 300A. Ic(T=100°C): 63A. Marcatura sulla cassa: 40N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 145 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS