HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D. Tipo di canale: N. Funzione: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente del collettore: 24A. Ic(impulso): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Marcatura sulla cassa: G12N60C3D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 270 ns. Td(acceso): 14 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.