Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D

Transistor IGBT HGTG20N60A4D
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2 - 2 8.74€ 10.66€
3 - 4 8.28€ 10.10€
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 35 ns. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4D. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.

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Transistor a canale N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. RoHS: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: 30N60A4D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS
HGTG30N60A4D
Transistor a canale N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. RoHS: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: 30N60A4D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS
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