Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 11.08€ | 13.52€ |
2 - 2 | 10.53€ | 12.85€ |
3 - 4 | 9.97€ | 12.16€ |
5 - 9 | 9.42€ | 11.49€ |
10 - 14 | 9.20€ | 11.22€ |
15 - 19 | 8.98€ | 10.96€ |
20 - 66 | 8.64€ | 10.54€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 11.08€ | 13.52€ |
2 - 2 | 10.53€ | 12.85€ |
3 - 4 | 9.97€ | 12.16€ |
5 - 9 | 9.42€ | 11.49€ |
10 - 14 | 9.20€ | 11.22€ |
15 - 19 | 8.98€ | 10.96€ |
20 - 66 | 8.64€ | 10.54€ |
Transistor a canale N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4D. Transistor a canale N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. RoHS: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: 30N60A4D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.
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