Transistor

Tipo di canale: N-P. Funzione: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 47 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Marcatura sulla cassa: 5N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 182 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Quantità per scatola: 1. Funzione: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Quantità per scatola: 1. Funzione: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 47. Guadagno hFE minimo: 29. Corrente del collettore: 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: Transistor planare epitassiale

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 160...320. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126ML. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) HSB1109

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 160...320. Corrente del collettore: 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: Custodia NON isolata. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(in): 250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AA ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 3200pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75344 G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 285W. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3200pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75344 P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 285W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 145 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75645 P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 145 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75645 S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 850pF. Costo): 465pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 58 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 76121D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AA ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: HUF76145P3. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 110 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 135 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 270W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 15A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 750 ns. Td(acceso): 600 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 20A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 650 ns. Td(acceso): 970 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G03H1202. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 3A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 281 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Corrente massima del collettore (A): 9.9A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione drain-source: 1200V. Corrente del collettore: 50A. Potenza: 326W. Alloggiamento: TO-247AC

C(in): 4620pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: VCEsat molto basso. Corrente del collettore: 140A. Ic(impulso): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marcatura sulla cassa: G75H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Tempo di consegna: KB. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 265 ns. Td(acceso): 31 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1165pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marcatura sulla cassa: H15R1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 254W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 300 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.48V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1340pF. Costo): 43pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 90 ns. Funzione: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: H20MR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 288W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 350 ns. Td(acceso): 260 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1500pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Inductive?cooking. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: H20R1353. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 405 ns. Td(acceso): 335 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1350V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1360pF. Costo): 43pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: H20PR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 288W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 235 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.85V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1350V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1460pF. Costo): 78pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Soft Switching Applications. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: H20T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 560 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS