IGW75N60H3

IGW75N60H3. C(in): 4620pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: VCEsat molto basso. Corrente del collettore: 140A. Ic(impulso): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marcatura sulla cassa: G75H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Tempo di consegna: KB. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 265 ns. Td(acceso): 31 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 06:25.