Transistor

C(in): 2400pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Id(imp): 350A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 050N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 6.7 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0608. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 215W. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6.9W. Rds sulla resistenza attiva: 6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-SOT223. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 33A. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. Potenza: 171W. Alloggiamento: TO-220AC. Diodo incorporato: sì

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 106A. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Potenza: 446W. Alloggiamento: TO-247AC. Diodo incorporato: sì

C(in): 130pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): HexSense TO-220F-5. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, resistenza allo stato di conduzione ultra bassa. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3210pF. Costo): 690pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Utilizzato per: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Vgs 20V. ID (T=100°C): 71A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Resistenza in conduzione ultra bassa (Rds). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V

C(in): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF1310NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1310NS. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 5790pF. Costo): 3440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 46 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 24V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 7360pF. Costo): 1680pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF1404PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 46 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5669pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 333W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. Rds sulla resistenza attiva: 2.7M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 36ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1404S. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. Rds sulla resistenza attiva: 2.7M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 5480pF. Costo): 1210pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 88 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Marcatura del produttore: IRF1405PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5480pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 330W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 169A. Potenza: 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0053 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione drain-source (Vds): 55V

C(in): 4780pF. Costo): 770pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 600A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0037 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 5600pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0078 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 130A. Potenza: 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0078 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 75V

C(in): 6450pF. Costo): 1690pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, applicazioni automobilistiche. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 1.8M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS