Transistor

C(in): 2589pF. Costo): 77pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: H30R1202. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 390W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 792 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: Cottura induttiva, applicazioni di commutazione graduale. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1810pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: H30PR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 310 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1350V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: Cottura induttiva, Forni a microonde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 600V. Corrente del collettore: 40A. Potenza: 305W. Alloggiamento: TO-247AC

Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Equivalenti: Samsung--DC13-00253A. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 27.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 800 ns. Td(acceso): 560 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 600V. Corrente del collettore: 24A. Potenza: 110W. Alloggiamento: TO-220AB

C(in): 860pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta velocità in tecnologia NPT. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marcatura sulla cassa: K15T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 188 ns. Td(acceso): 17 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione drain-source: 1200V. Corrente del collettore: 50A. Potenza: 326W. Alloggiamento: TO-247AC. Diodo incorporato: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K25T1202. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 25A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 265 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.4V. Dissipazione massima Ptot [W]: 349W. Corrente massima del collettore (A): 100A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1860pF. Costo): 96pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente del collettore: 50A. Ic(impulso): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Marcatura sulla cassa: K25T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 560 ns. Td(acceso): 50 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1630pF. Costo): 107pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 117 ns. Funzione: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: K30H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 187W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 207 ns. Td(acceso): 21 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2330pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Marcatura sulla cassa: K40H1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 483W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 290 ns. Td(acceso): 30 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247N. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 1200V. Corrente del collettore: 82A. Potenza: 428W. Alloggiamento: TO-247AC. Diodo incorporato: sì

C(in): 116pF. Costo): 2960pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.65V. Funzione: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marcatura sulla cassa: K50H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 333W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 235 ns. Td(acceso): 23 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 3140pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 143 ns. Funzione: VCEsat molto basso. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Marcatura sulla cassa: K50T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 333W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 299 ns. Td(acceso): 26 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 4620pF. Costo): 288pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 182 ns. Funzione: VCEsat molto basso. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marcatura sulla cassa: K75T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 330 ns. Td(acceso): 33 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8

C(in): 440pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 6R600E6. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 10uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 8R1K0CE. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 0.83 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: -20V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: OptiMOS Power. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO263-7. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 128 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 7500pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 4N03L02. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 62 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS

C(in): 3400pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0607. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Rds sulla resistenza attiva: 5.6M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS

C(in): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0608. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 215W. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS

C(in): 2360pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0609. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 8000pF. Costo): 1700pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 48 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 034N06N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Rds sulla resistenza attiva: 2.8m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 63 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS