IKW50N60H3

IKW50N60H3. C(in): 116pF. Costo): 2960pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.65V. Funzione: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marcatura sulla cassa: K50H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 333W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 235 ns. Td(acceso): 23 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.