IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 10uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 8R1K0CE. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 0.83 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: -20V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.