IKW25N120T2

IKW25N120T2. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K25T1202. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 25A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 265 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.4V. Dissipazione massima Ptot [W]: 349W. Corrente massima del collettore (A): 100A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.