IPA60R600E6

IPA60R600E6. C(in): 440pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 6R600E6. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.