IKW25T120

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	11.20€	13.66€
2 - 2	10.64€	12.98€
3 - 4	10.08€	12.30€
5 - 9	9.52€	11.61€
10 - 14	9.30€	11.35€
15 - 19	9.08€	11.08€
20 - 132	8.74€	10.66€

Qnéuantità	U.P
1 - 1	11.20€	13.66€
2 - 2	10.64€	12.98€
3 - 4	10.08€	12.30€
5 - 9	9.52€	11.61€
10 - 14	9.30€	11.35€
15 - 19	9.08€	11.08€
20 - 132	8.74€	10.66€

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Set da 1

IKW25T120. C(in): 1860pF. Costo): 96pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente del collettore: 50A. Ic(impulso): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Marcatura sulla cassa: K25T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 560 ns. Td(acceso): 50 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.

Documentazione tecnica