IPB80N03S4L-02

IPB80N03S4L-02. C(in): 7500pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 4N03L02. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 62 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.