IPB80N06S2-08

IPB80N06S2-08. C(in): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0608. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 215W. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.