IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 128 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.