IKW40N120H3

IKW40N120H3. C(in): 2330pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Marcatura sulla cassa: K40H1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 483W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 290 ns. Td(acceso): 30 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247N. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.