IRC640

IRC640. C(in): 130pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): HexSense TO-220F-5. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 03:25.