HUF75307D3

HUF75307D3. C(in): 250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 06:25.