GT35J321

GT35J321. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Corrente del collettore: 37A. Ic(impulso): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.51 ns. Td(acceso): 0.33 ns. Alloggiamento: TO-3P( N )IS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.