G60N04K

G60N04K. C(in): 1800pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): n/a. Marcatura sulla cassa: G60N04K. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.