HGTG20N60B3

HGTG20N60B3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): UFS Series IGBT. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: HG20N60B3. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 220 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 165W. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.