HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: G20N60B3D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 165W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Spec info: Tempo di caduta tipico 140ns a 150°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.