GT30J324

GT30J324. C(in): 4650pF. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.3 ns. Td(acceso): 0.09 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.