FQD7N10L

FQD7N10L. C(in): 220pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FQD7N10L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.258 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funzione: Tariffa di gate bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.