Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQP13N50

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FQP13N50. C(in): 1800pF. Costo): 245pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.

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FQP13N50C

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C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 4...
FQP13N50C
C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Protezione GS: NINCS
FQP13N50C
C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Protezione GS: NINCS
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