Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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HER305

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HER305. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Do: 70pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Peso: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 02:25.

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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UF5404

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A
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