Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC547A

BC547A
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1 - 4 0.65€ 0.79€
5 - 9 0.62€ 0.76€
10 - 24 0.58€ 0.71€
25 - 49 0.55€ 0.67€
50 - 92 0.47€ 0.57€
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1 - 4 0.65€ 0.79€
5 - 9 0.62€ 0.76€
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BC547A. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557B
BC547B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557B
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Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10...
BC546A
Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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