FQA13N50CF

FQA13N50CF. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 218W. Rds sulla resistenza attiva: 0.43 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 43 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.