FQP33N10

FQP33N10. C(in): 1150pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 127W. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.