Transistor a canale N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80

Transistor a canale N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80. Transistor a canale N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26.4A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 13:25.