Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQP7N80

FQP7N80
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FQP7N80. C(in): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.

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FQP7N80C

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C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 6...
FQP7N80C
C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 27nC, Crss basso 10pF. Protezione GS: NINCS
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