FQPF7N80C

FQPF7N80C. C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56W. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: carica gate bassa (tipica 40nC), Crss basso 10pF. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.