Transistor

C(in): 530pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 365P. Marcatura sulla cassa: 365 P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Convertitori, Alimentatori. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SUPERSOT-6. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Tensione drain-source Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: .638. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: 420. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Funzione: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Nota: serigrafia/codice SMD 420

C(in): 700pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 642. Marcatura sulla cassa: 642. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 630pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 250uA. Nota: serigrafia/codice SMD FDC642P. Marcatura sulla cassa: FDC642P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0525 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.5 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protezione GS: NINCS

C(in): 2085pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia delle trincee ad alte prestazioni". Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. Idss (massimo): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD4141. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Rds sulla resistenza attiva: 12.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. C(in): 759pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD5614P. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FDD5690. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 24 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1110pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0088 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1715pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1400pF. Costo): 317pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 59A. Marcatura sulla cassa: FDD6635. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

C(in): 5070pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 8.2M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 69 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1715pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

C(in): 575pF. Costo): 64pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56.4 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56.8W. Rds sulla resistenza attiva: 61m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15.8 ns. Td(acceso): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FDD8447L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 880pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 23 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FDH45N50F. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 140 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 215 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6630pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 7.5A. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor MOSFET a doppio canale N, 30 V, "MOSFET PowerTrench". Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): Power-56-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 2. Funzione: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 306. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 61 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1138pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 451pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Gestione della batteria. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. ID (min): n/a. Nota: serigrafia/codice SMD 338. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.088 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V

C(in): 182pF. Costo): 56pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. Ids: 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 358. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 618. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 430pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 2200pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS