FDD770N15A

FDD770N15A. C(in): 575pF. Costo): 64pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56.4 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56.8W. Rds sulla resistenza attiva: 61m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15.8 ns. Td(acceso): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.