Transistor

C(in): 1802pF. Costo): 415pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3020LS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0116 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 5.1 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Varie: Velocità di commutazione rapida, bassa perdita di ingresso/uscita. Funzione: Bassa resistenza in conduzione, bassa tensione di soglia del gate, bassa capacità di ingresso. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/codice SMD 14

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Transistor digitale (resistenza di polarizzazione incorporata). Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/codice SMD 14

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Transistor digitali (resistori integrati). Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: 15. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/codice SMD 15. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SC-72. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-72 ( D143 ). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Resistenza B: 4.7k Ohms. Resistenza BE: 47k Ohms. Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor dotato di resistore PNP. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/codice SMD 19. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 10k Ohms. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: DTR.. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 24. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.2W. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/codice SMD 24. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 4.7k Ohms. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Nota: serigrafia/codice SMD 33. Marcatura sulla cassa: *33, P33, t33, w33. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Data di produzione: 2014/49. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 18. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V

Resistenza B: 47k Ohms. Resistenza BE: 47k Ohms. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.03A. Marcatura sulla cassa: 26. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/codice SMD 26. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Corrente del collettore: 0.1A. Potenza: 0.3W. Frequenza massima: 250MHz. Alloggiamento: SC-72. Resistenza BE: 47k+22k Ohms

Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 900pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 155 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.1V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECW20P20. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 1850pF. Costo): 850pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 105 ns. Td(acceso): 150 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.1V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECW20N20. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10P20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10N20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Modulo transistor di potenza Darlington NPN. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 300. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Nota: Avvitato. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tipo di transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: ISOTOP. Configurazione: Avvitato. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: ESM6045DV. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 84A. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1148pF. Costo): 671pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 119 ns. Td(acceso): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 11A. Potenza: 36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tensione drain-source (Vds): 650V

C(in): 1495pF. Costo): 235pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 490 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FDA16N50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Rds sulla resistenza attiva: 0.31 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Tariffa di gate bassa. Protezione GS: NINCS

C(in): 2280pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FDA24N40F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FDA50N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 220 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 460 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 3090pF. Costo): 630pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 392W. Rds sulla resistenza attiva: 0.041 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3570pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 210 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 480W. Rds sulla resistenza attiva: 0.034 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 95 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0087 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS