Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25

Transistor a canale N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25
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Transistor a canale N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25. Transistor a canale N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.041 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 3090pF. Costo): 630pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 392W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 19:25.

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