Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FDA59N25

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FDA59N25. C(in): 3090pF. Costo): 630pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 392W. Rds sulla resistenza attiva: 0.041 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.021 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.021 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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