Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRFB4227

IRFB4227
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10 - 24 3.52€ 4.29€
25 - 49 3.32€ 4.05€
50 - 98 3.25€ 3.97€
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IRFB4227. C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 19.7m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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IRF530

IRF530

C(in): 670pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizi...
IRF530
C(in): 670pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRF530
C(in): 670pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 660pF. Costo): 86pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizio...
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C(in): 660pF. Costo): 86pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 2.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRFBC30
C(in): 660pF. Costo): 86pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 2.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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IRF830

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IRF830
C(in): 610pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 320 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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