Transistor a canale N IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 670pF. Carica: 26nC. Condizionamento: tubus. Costo): 250pF. DRUCE CORRENTE: 10A, 16A. Diodo Trr (min.): 150 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 56A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Polarità: unipolari. Potenza: 88W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 0.16 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00