FDA50N50

FDA50N50. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FDA50N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 220 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 460 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.