FDA16N50-F109

FDA16N50-F109. C(in): 1495pF. Costo): 235pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 490 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FDA16N50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Rds sulla resistenza attiva: 0.31 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Tariffa di gate bassa. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.