Transistor

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: V-MOS. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (massimo): 3.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 4.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1

C(in): 734pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Numero di terminali: 2. Spec info: transistor complementare (coppia) BUZ901. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Tecnologia: TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 80W. Frequenza massima: 4MHz. Alloggiamento: TO-220AB (MJE13007)

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v

C(in): 40pF. Costo): 14pF. Tipo di canale: N. Funzione: Doppio transistor IGBT (isolato). Corrente del collettore: 200A. Ic(impulso): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Dimensioni: 108x62x31mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1500W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 300 ns. Td(acceso): 250 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Numero di terminali: 7. Spec info: Commutazione ad alta potenza. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) CSD1133

C(in): 260pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1uA. Numero di terminali: 6. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 17W. Rds sulla resistenza attiva: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 2.8 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Alloggiamento: WSON6. Custodia (secondo scheda tecnica): Custodia in plastica da 2 mm × 2 mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.9V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Costo): 130pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: D44H11. Equivalenti: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf(massimo): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) D45H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H11G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H8G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: S-L, Low-sat. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 90 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) D45VH10. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Equivalenti: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: coppia D44H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D45H11G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D45H8G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -15A. Potenza: 83W. Frequenza massima: 50 MHz. Alloggiamento: TO–220AB

RoHS: sì. Famiglia di dispositivi: Tool. Tipo di utensile: assortimento di 24 utensili

C(in): 37pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 600A. Ic(impulso): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Dimensioni: 172x89x37mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3350W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.7 ns. Td(acceso): 0.21 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Numero di terminali: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funzione: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: C3025LS. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.2V/-2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 590/631pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C