D45H11

D45H11. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Equivalenti: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: coppia D44H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 01:25.