Transistor

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUL45D2G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 13 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN bipolare ad alta velocità e alto guadagno. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 22. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 1.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-218. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUP313. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 32A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 530 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Corrente massima del collettore (A): 64A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 200V. Corrente del collettore: 70A. Potenza: 350W. Alloggiamento: TO-3

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 4us. Tf(min): 0.8us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, alta velocità

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Funzione: S-L, SN. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV20. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 125V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Progettato per applicazioni ad alta velocità. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Tf(massimo): 150 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 CASE 221A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 190V. Vebo: 7V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 120ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 15A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1